HYG050N13NS1B6
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TO-263-6
- 品牌名称HUAYI(华羿微)
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商品型号
HYG050N13NS1B6 -
商品编号
HYG050N13NS1B6 -
商品封装
TO-263-6 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 135V | |
连续漏极电流(Id) | 200A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.8mΩ@10V,50A | |
功率 | 375W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 165nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 11.662nF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 181pF@75V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度
售价
1+¥11.49
10+¥9.91
30+¥8.92
100+¥7.91
库存总量
(单位:432个)-
仓库库存数量
432
购买数量
个
起订量:1 个