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首页 >品牌目录 >NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

网址： http://www.ncepower.com/

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

类目：

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封装：

DFN(3x3)

DFN(5x6)

DFN2x2-6L

DFN2x3-6L

DFN5x6Clip

DFN5x6Clip-G

DFN5x6Clip-GC

DFN-6-EP(2x2)

DFN-6L(2x2)

DFN-8(3.1x3.2)

DFN-8(3.3x3.3)

DFN-8(3x3)

DFN-8(4.9x5.7)

DFN-8(4.9x5.8)

DFN-8(5.1x5.8)

DFN-8(5.1x6)

DFN-8(5.7x5.1)

DFN-8(5.8x4.9)

DFN-8(5.8x5.9)

DFN-8(5x5.7)

DFN-8(5x6)

DFN-8-EP(3.3x3.3)

DFN-8L(3.3x3.3)

DFN-8L(3x3)

DFN-8L(5x6)

DFNWB-6-EP(2x2)

ESOP-8

FDFN-8L(5x6)

PDFN3333-8

PDFN-8(3.1x3.2)

PDFN-8(3.3x3.3)

PDFN-8(4.9x5.8)

PDFN-8(5.1x5.8)

PDFN-8(5.2x6.2)

PDFN-8(5.8x4.9)

PDFN-8(5x5)

PDFN-8(5x5.8)

SO-8

SOIC-8

SOP-8

SOP-8-4.0mm

SOT-223

SOT-223-2

SOT-223-3

SOT-223-3L

SOT-23

SOT-23-3L

SOT-23-6

SOT-23-6L

SOT-89-3

SOT-89-3L

TO-220

TO-220-3

TO-220-3L

TO-220F

TO-220F-3

TO-247

TO-247-3

TO-247-3L

TO-247AC-3

TO-247P

TO-251

TO-251(IPAK)

TO-251S

TO-252

TO-252-2

TO-252-2(DPAK)

TO-252-2L

TO-252-4

TO-252-4L

TO-263

TO-263-2

TO-263-2L

TO-263-3

TO-263-6L

TO-263-7L

TO-3P-3

TO-92-2.5mm

TO-92-3

TOLL

TOLL-8

TSOT-23-6

TSSOP-8

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NCE0157A 品牌: NCE(无锡新洁能) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):57A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,28A 功率:160W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11848610 详细: 数据手册 1+: ￥4.88 200+: ￥1.89 500+: ￥1.83 1000+: ￥1.79 库存：0 个个总额:￥0

NCE65T2K4I 品牌: NCE(无锡新洁能) 封装: TO-251 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,1A 功率:21W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11848607 详细: 数据手册 1+: ￥1.4415 10+: ￥1.1811 30+: ￥1.0695 100+: ￥0.9303 500+: ￥0.8683 1000+: ￥0.8311 库存：0 个个总额:￥0

NCE60H10 品牌: NCE(无锡新洁能) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,20A 功率:170W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11848603 详细: 数据手册 1+: ￥3.44 10+: ￥2.88 30+: ￥2.6 100+: ￥2.32 500+: ￥2.16 库存：980 个个总额:￥0

nce0157D 品牌: NCE(无锡新洁能) 封装: TO-263-2 描述: - 漏源电压(Vdss):- 连续漏极电流(Id):- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率:- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11848594 详细: 数据手册 1+: ￥4.56 10+: ￥3.9 30+: ￥3.56 100+: ￥3.23 500+: ￥3.03 800+: ￥2.93 库存：0 个个总额:￥0

NCEP023N10 品牌: NCE(无锡新洁能) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):240A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率:- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11848591 详细: 数据手册 1+: ￥15.48 10+: ￥13.67 30+: ￥12.55 100+: ￥11.39 500+: ￥10.87 1000+: ￥10.64 库存：0 个个总额:￥0

NCEP023N85 品牌: NCE(无锡新洁能) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):260A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,130A 功率:300W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11848586 详细: 数据手册 1+: ￥14.16 10+: ￥12.59 30+: ￥11.61 100+: ￥10.61 500+: ￥10.15 1000+: ￥9.95 库存：0 个个总额:￥0

NCEP6090K 品牌: NCE(无锡新洁能) 封装: TO-252-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):90A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@10V,45A 功率:100W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11848581 详细: 数据手册 1+: ￥2.22 10+: ￥1.94 30+: ￥1.81 100+: ￥1.66 500+: ￥1.6 1000+: ￥1.56 库存：0 个个总额:￥0

NCE3020Q 品牌: NCE(无锡新洁能) 封装: PDFN-8(3.3x3.3) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V 功率:20W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11848579 详细: 数据手册 1+: ￥0.8967 10+: ￥0.7276 30+: ￥0.6552 100+: ￥0.5648 库存：1604 个个总额:￥0

NCEP023N10D 品牌: NCE(无锡新洁能) 封装: TO-263-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):240A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,120A 功率:340W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11848575 详细: 数据手册 1+: ￥15.29 10+: ￥13.18 30+: ￥11.87 库存：10 个个总额:￥0

NCE65T2K4K 品牌: NCE(无锡新洁能) 封装: TO-252-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,1A 功率:21W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11848570 详细: 数据手册 1+: ￥1.2802 10+: ￥1.0282 30+: ￥0.9202 库存：119 个个总额:￥0

海量现货

56万现货SKU

品类不断扩充中
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最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

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