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KIA

网址： http://www.kiaic.com/page/qiyejianjie.htm

深圳市可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大功率场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。

类目：

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封装：

DFN-8-EP(6.1x5.2)

PDFN-8(4.9x5.8)

PDFN-8(5.8x4.9)

PDFN-8(5.9x5.2)

PDFNWB-8L-EP(5x6)

更多

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符合条件商品：共424件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

KNB2804C 品牌: KIA 封装: TO-263-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):150A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,30A 功率:230W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11204029 详细: 数据手册 1+: ￥3.73 10+: ￥3.12 30+: ￥2.81 100+: ￥2.51 500+: ￥2.33 800+: ￥2.23 库存：0 个个总额:￥0

KNE7306A 品牌: KIA 封装: SO-8 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,10A 功率:3.1W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10813047 详细: 数据手册 1+: ￥1.1442 10+: ￥1.1212 30+: ￥1.1058 100+: ￥1.0904 库存：0 个个总额:￥0

KNH7150A 品牌: KIA 封装: TO-3P 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):240mΩ@10V,10A 功率:275W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10813043 详细: 数据手册 1+: ￥8.33 10+: ￥7.04 30+: ￥6.33 库存：3 个个总额:￥0

KNF6180A 品牌: KIA 封装: TO-220F-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@10V,4A 功率:55W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10813041 详细: 数据手册 1+: ￥6.06 10+: ￥5.01 50+: ￥4.49 100+: ￥3.97 500+: ￥3.53 1000+: ￥3.37 库存：40 个个总额:￥0

KNP2804A 品牌: KIA 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):150A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,24A 功率:300W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10813037 详细: 数据手册 1+: ￥3.77 10+: ￥3.16 30+: ￥2.86 100+: ￥2.55 500+: ￥2.37 1000+: ￥2.28 库存：0 个个总额:￥0

KNP2803A 品牌: KIA 封装: TO-220 描述: - 漏源电压(Vdss):- 连续漏极电流(Id):- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率:- 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10813033 详细: 数据手册 1+: ￥2.82 10+: ￥2.32 30+: ￥2.1 100+: ￥1.83 500+: ￥1.71 1000+: ￥1.64 库存：0 个个总额:￥0

KND8103A 品牌: KIA 封装: TO-252-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,10A 功率:25W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10813027 详细: 数据手册 1+: ￥0.9057 10+: ￥0.7617 30+: ￥0.6897 100+: ￥0.6357 500+: ￥0.5925 1000+: ￥0.5709 库存：0 个个总额:￥0

KND4665B 品牌: KIA 封装: TO-252-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,3.5A 功率:75W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10813024 详细: 数据手册 1+: ￥1.0727 10+: ￥1.0511 30+: ￥1.0367 库存：1 个个总额:￥0

KND3706A 品牌: KIA 封装: TO-252-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,15A 功率:52W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10813021 详细: 数据手册 1+: ￥1.5261 10+: ￥1.2531 30+: ￥1.1361 100+: ￥0.9901 500+: ￥0.9251 1000+: ￥0.8861 库存：0 个个总额:￥0

KND3502A 品牌: KIA 封装: TO-252-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):70A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@4.5V,8A 功率:50W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10813015 详细: 数据手册 1+: ￥0.4577 10+: ￥0.4485 30+: ￥0.4423 100+: ￥0.4362 库存：0 个个总额:￥0

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