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对比
J112-D27Z
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TO-92-3
- 品牌名称onsemi(安森美)
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商品型号
J112-D27Z -
商品编号
J112-D27Z -
商品封装
TO-92-3 -
分类
结型场效应管(JFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)@ID) | 1V@1uA | |
| 栅源击穿电压(V(BR)GSS) | 35V | |
| 功率(Pd) | 625mW | |
| 漏源导通电阻(RDS(on)) | 50Ω | |
| 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0) | 5mA@15V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度
售价
1+￥2.4
200+￥0.9288
500+￥0.8962
1000+￥0.88
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